技術(shù)編號(hào)：7223312
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件。更具體地說，本發(fā) 明涉及一種具有低驅(qū)動(dòng)電壓(Vf)且光輸出效率優(yōu)良的氮化鎵基化合物半 導(dǎo)體發(fā)光器件。背景技術(shù)近年來，GaN基化合物半導(dǎo)體材料作為用于短波長發(fā)光器件的半導(dǎo)體 材料吸引了越來越多的注意力。通過使用藍(lán)寶石單晶、各種其它氧化物和 III-V族化合物作為襯底且通過在襯底上應(yīng)用金屬有機(jī)氣相化學(xué)反應(yīng)方法 (MOCVD)或分子束外延方法，制造GaN基化合物半導(dǎo)體。GaN基半導(dǎo)體材料的一個(gè)特性特征是，在橫向方向上電...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。