技術編號：7223316
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體發(fā)光器件及4吏用該器件的照明裝置。技術背景近年來，包含v族元素中的氮的氮化物半導體已經(jīng)在半導體發(fā)光器件例如發(fā)光二極管和釆用p-n結的激光二極管的領域中受到關注，并且在很 多地方進行了研究和開發(fā)。氮化物半導體受到關注的原因是氮化物半導體 (包括A1N、 GaN和InN)是直接躍遷(directtransition)半導體，并且 在三元混晶和四元混晶中，可以通過適當?shù)卦O置組成來改變帶隙，從而發(fā) 射從紅外直至深紫外的光。然而，在使用氮化物半導體制...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。