技術(shù)編號：7223325
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造集成在半導(dǎo)體村底上的多漏極的功率電子器件 的工藝。更具體地，本發(fā)明涉及一種制造集成在第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底 上的多漏極的功率電子器件的工藝，在該襯底上形成漏極半導(dǎo)體層。本發(fā)明尤其是，但是不是排他性地，涉及制造多漏極的功率M0S晶 體管的工藝，僅僅借助于說明書，并參考該應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行下述的說明。技術(shù)背景如所公知的，具有在200和IOOOV之間的擊穿電壓BV的功率M0S器 件具有高的輸出電阻(Ron),主要是由于耐高電壓所必需的外延漏極層 電...
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