技術(shù)編號(hào)：7223326
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及適用于發(fā)出紫外光或藍(lán)色光、白色光的半導(dǎo)體 發(fā)光元件及其制造方法。背景技術(shù)氧化鋅(ZnO)是具有約3.4eV頻帶隙能量的直接遷移型 半導(dǎo)體，由于其激子束縛能極高，可高達(dá)60meV，因此可實(shí)現(xiàn) 高效率且消耗電力較少的發(fā)光裝置。而且，由于具有原材料廉 價(jià)、對(duì)人體及環(huán)境無害等特征，因此可作為廉價(jià)且環(huán)境性也優(yōu) 良的發(fā)光裝置。但是，Z n 0容易產(chǎn)生缺氧或晶格間位置的鋅原子等的缺欠， 因此一般認(rèn)為較難形成p形導(dǎo)電層，但是為了通過使用氮(N) 作為受主雜質(zhì)來實(shí)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。