技術(shù)編號：7223383
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及蝕刻襯底的方法和設(shè)備，以及尤其但是不僅僅涉及 半導(dǎo)體襯底。背景技術(shù)已知使用化學(xué)蝕刻來提高沉積在半導(dǎo)體晶片上的薄膜的均勻性。在www, solid-state, com的2003年8月份版本的43至46頁中， 描述了一種使用濕法蝕刻機修正高密度等離子體(HDP)邊緣到中心 的均勻性問題的技術(shù)。該技術(shù)提高了淺槽集成(STI)的化學(xué)機械拋 光(CMP)工藝。然而，該技術(shù)具有很多缺點。例如，該技術(shù)僅僅涉及邊緣到中 心均勻性問題，并且只能進行有限數(shù)量的邊緣...
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