技術(shù)編號(hào):7224143
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。0001本發(fā)明涉及通過相對(duì)于晶體管柵極自對(duì)準(zhǔn)晶體管觸點(diǎn)的工藝形成的晶體管器件。 背景技術(shù)0002集成電路的進(jìn)一步小型化和價(jià)格降低是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的目標(biāo)。 實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)的障礙之一是制造到晶體管器件的電觸點(diǎn)的工藝。0003制造工藝?yán)枚鄠€(gè)圖案化級(jí),這些圖案化級(jí)要求在加工順序 中對(duì)準(zhǔn)光刻掩膜和較低的級(jí)。在MOS晶體管的情況下,傳統(tǒng)制造實(shí)踐 要求對(duì)準(zhǔn)垂直導(dǎo)線,這些垂直導(dǎo)線形成與晶體管的源區(qū)和漏區(qū)相連的 晶體管接觸(一般被稱為"觸點(diǎn)")。傳統(tǒng)MOS晶體管在柵電極側(cè)壁上 ...
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