技術(shù)編號(hào)：7224723
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及非易失性存儲(chǔ)器單元，其中通過(guò)提供熱能以改變材 料的電阻來(lái)對(duì)存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程。本發(fā)明尤其涉及相變存儲(chǔ)器(PCM)。本發(fā)明尤其涉及縱向PCM存儲(chǔ)器單元。 背景技術(shù)可將信息存儲(chǔ)在采用各種物理機(jī)制的非易失性存儲(chǔ)器中，例如， 在所謂的閃存中的導(dǎo)電層或電介質(zhì)層中存儲(chǔ)電荷、在所謂的FeRAM 存儲(chǔ)器中的晶體中重新布置電荷。非易失性存儲(chǔ)器中的一種類型是相 變存儲(chǔ)器(PCM)，也稱為相變RAM (PRAM)。在此，通過(guò)改變 相變材料的物理狀態(tài)(非晶態(tài)/晶態(tài))或晶...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。