技術(shù)編號(hào)：7224763
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及橫向半導(dǎo)體器件。本發(fā)明還涉及制造橫向半導(dǎo)體器件的 方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件可以是二極管、金屬絕緣半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體 管、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、絕,雙極晶體管。背景技術(shù)SOI (絕緣體上硅)襯底包括半導(dǎo)體襯底、絕緣膜和半導(dǎo)體層堆疊 的結(jié)構(gòu)。已知包括SOI襯底的半導(dǎo)體層的表面上的一對(duì)主電極的橫向半 導(dǎo)體器件。利用SOI襯底的橫向半導(dǎo)體器件的特征在于浪涌電壓引起的 故障操作不容易發(fā)生，并預(yù)期成為有希望的半導(dǎo)體器件。圖14示意性地示出了橫向二極管3...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。