技術(shù)編號:7225655
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲器器件,更具體的說,涉及包括一個輔助電荷的半導(dǎo)體存儲器器件。背景技術(shù) 傳統(tǒng)的電可編程只讀存儲器(EPROM)隧道氧化層(ETOX)閃存存儲器單元和傳統(tǒng)的摻氮的只讀存儲器單元受限于由于執(zhí)行編程操作所需的大電流而導(dǎo)致的低效率編程。ETOX閃存存儲器和摻氮的只讀存儲器單元是用溝道熱電子(CHE)注入以將該單元編程至高電壓的方式來進行編程的。熱電子是被在半導(dǎo)體器件中的高場強區(qū)域中的強電場加速以獲得非常高的動能的電子,例如ETOX或摻氮的只讀存儲...
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