技術(shù)編號：7225874
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于太陽能光伏器材領(lǐng)域，特別涉及到氫化硅薄膜光伏器件技術(shù)。技術(shù)背景背電極對于基于薄膜氫化非晶硅和納米晶硅的太陽能電池(也叫做薄膜光伏或光電器 件)，尤其是大面積光伏模塊的高性能和可靠性致關(guān)重要，其中高效的捕光能力，對于有效的 捕獲弱吸收光是不可缺少的因素。具有高反射率的背電極可以有效的把未被吸收的長波光線 反射回光伏器件中。反射最好是以一個很大的角度(散射式)進(jìn)行，這樣使光再次進(jìn)入硅層 時有較長的光學(xué)路徑，以增加其被吸收的機(jī)率，從而增加光電流。在實驗...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。