技術(shù)編號(hào)：7226050
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在此公開的本申請(qǐng)的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，更具體，涉及。背景技術(shù) 通常，半導(dǎo)體制造工序包括在襯底上形成各種類型的層之后，通過光刻構(gòu)圖工序除去層的任何不需要部分而形成期望的圖形的工序。例如，這樣形成的導(dǎo)電圖形可以采取線型圖形的形式，例如在預(yù)設(shè)方向上延伸的柵，或者島形導(dǎo)電圖形，例如電容器的底電極。為了實(shí)施高集成的器件，不可避免地期望減小導(dǎo)電圖形的寬度，并縮短相鄰導(dǎo)電圖形之間的距離。然而，導(dǎo)電圖形的寬度的這種減小導(dǎo)致導(dǎo)電圖形的阻抗增加，因此，為了保持低阻抗，必...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。