技術編號：7226328
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種刻蝕基板法外延定向生長A1N納米片網(wǎng)格的方法。技術背景AlN與GaN、 BN—樣是廣泛應用的in-V族半導體材料。它具有低電子 親和勢(<0.25 eV)可降低電子逸出功和與其相關的場發(fā)射開啟電壓；它的高 熔點(280(TC)、高導熱率、與Si基板的良好匹配(如熱膨脹系數(shù)相近等)、 抗氧化、高強度和剛度等優(yōu)點可有效提高其準一維陣列的熱學、化學、力學 穩(wěn)定性，進而提高器件的場發(fā)射穩(wěn)定性及可靠性。發(fā)明內容本發(fā)明的目的是提供一種刻蝕基板法外延...
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