技術(shù)編號：7227897
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微電子中的半導(dǎo)體器件的制造工藝技術(shù)，特別是一種半導(dǎo)體硅片的減薄制造工藝。 背景技術(shù) 現(xiàn)有的功率器件在做完正面后都要將背面減薄再做背面金屬化，由于在減薄后還要將硅片做背面金屬化及退火，因此硅片的厚度就不能太薄。如果太薄，在以后的加工過程中容易造成碎片，影響整個(gè)工序的成品率。 對于目前流行的各種便攜式電子設(shè)備或儀器都正在向小型化和微型化及高可靠性方向發(fā)展，相應(yīng)地要求電子元器件的體積要求也越來越苛刻，體積越小越好，厚度越薄越好，而性能越可靠越好。其中...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。