技術(shù)編號：7227905
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體穩(wěn)壓器件的結(jié)構(gòu)和制造方法，尤其涉及一種制造低伏 齊納穩(wěn)壓管的結(jié)構(gòu)和制造方法。背景技術(shù)電子產(chǎn)品中廣泛運(yùn)用半導(dǎo)體齊納穩(wěn)壓器件于低伏電壓箝位，這種低伏穩(wěn)壓器件是由一個(gè)反向偏置的P + N+結(jié)形成。這種穩(wěn)壓器件在低于7V范圍所依賴的是穿越 勢壘的電流形成的齊納擊穿。傳統(tǒng)在這種低伏穩(wěn)壓器件中為克服表面的結(jié)漏電，在 平面結(jié)的邊緣建構(gòu)有擴(kuò)散形成的深PN結(jié)截止環(huán)。由于截止環(huán)是形成在低阻的村底 上，其表面的補(bǔ)償摻雜濃度必須很高，結(jié)的深度要很大。其結(jié)果是P...
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