技術(shù)編號：7227949
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體的監(jiān)測結(jié)構(gòu)，特別涉及半導(dǎo)體的金屬硅化物質(zhì)量的 監(jiān)測結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)在現(xiàn)代超大規(guī)模集成電路芯片中，半導(dǎo)體器件的高集成度導(dǎo)致減小導(dǎo)電引 線(例如柵極電極或位極)的寬度，隨著導(dǎo)電引線寬度的減小，它們的相應(yīng)電阻增大。例如，導(dǎo)電引線的寬度減小到1/N,它們的電阻增加N倍，電阻的增大 導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的運(yùn)行速度下降。對于用作半導(dǎo)體器件的柵極或位線， 一般采用摻雜的多晶硅線，但是這種 摻雜的多晶硅線呈現(xiàn)30-70歐姆/平方厘米的高表面電阻以及每個(gè)觸點(diǎn)約為...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。