技術(shù)編號(hào)：7228010
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種可調(diào)整柵極氧化層 厚度的半導(dǎo)體器件制造方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體器件日益具有更快的運(yùn)算 速度、更大的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量以及更多的功能。金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFETs),以下簡(jiǎn)稱MOS晶體管，是集成電路中最廣受使用的器件 之一，其制造工藝具有高度的可重復(fù)性和可控制性。隨著半導(dǎo)體制造工 藝進(jìn)入深亞微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，MOS晶體管的體積不斷縮小，制造集成度越 來越高，在各種超大規(guī)模存儲(chǔ)和邏輯集成電路得到日益廣泛...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。