技術(shù)編號(hào)：7229513
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種。且更具體而言，本發(fā)明涉及一種具有鰭型溝道區(qū)的。背景技術(shù) 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品的尺寸減小，必須由半導(dǎo)體產(chǎn)品處理的數(shù)據(jù)量增加。因此，已經(jīng)研究了一種增加用在半導(dǎo)體產(chǎn)品中的非易失存儲(chǔ)器件的操作速度和集成度的方法。例如，在通過(guò)使用鰭場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Fin-FET)而具有增加的集成度的半導(dǎo)體器件的情形，溝道的面積可以被放大以增加操作速度且同時(shí)鰭的寬度可以被減小以增加集成度。使用絕緣體上硅(SOI)襯底的Fin-FET可以被認(rèn)為是進(jìn)一步改善短溝道效應(yīng)的可能方法。...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。