技術(shù)編號：7229745
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明是有關于一種電容器的工藝，且特別是有關于一種位線上電容器(capacitor over bit line, COB)及其下電極的制造方法。技術(shù)背景半導體存儲元件通常需要具備電容器，以使每一存儲器依據(jù)電容器的偏 壓程度而儲存二進位數(shù)據(jù)，如動態(tài)隨機存取存儲器(dynamic random access memory, DRAM)。而電容器中儲存的電荷即為動態(tài)隨機存取存儲器中基本 的存儲器特性。電容器的電荷儲存是仰賴電容器的電容值，而電容值是依據(jù) 儲存電極...
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