技術(shù)編號：7230546
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，尤其是一種肖特基勢壘二極管器件。本 發(fā)明還涉及一種半導(dǎo)體器件的制作方法，尤其是一種肖特基勢壘二極管的 制作方法。背景技術(shù)肖特基二極管器件主要應(yīng)用于高速整流領(lǐng)域?，F(xiàn)有的肖特基二極管的結(jié)構(gòu)基本上為Ti/W等金屬合金層延伸到N型外延層通過在適當(dāng)?shù)暮辖饻囟?后形成的，這種器件性能穩(wěn)定，能有效地降低飽和壓降和提高開關(guān)速度， 但這種器件制作工藝復(fù)雜，與普通CMOS工藝不兼容。同時(shí)肖特基管的反向 擊穿電壓低，漏電大也是急需解決的問題。 發(fā)明內(nèi)容...
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