技術(shù)編號：7230572
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造，特別是涉及一種淺溝槽隔 離工藝方法。 背景技術(shù)現(xiàn)在半導(dǎo)體制造工藝中，淺溝槽隔離技術(shù)被普遍采用。在淺溝槽隔離 技術(shù)中，隔離能力是很重要的技術(shù)參數(shù)。其中，淺溝槽隔離填充對淺溝槽 的隔離能力有很大的影響，并因此對晶體管性能產(chǎn)生的影響極大。在已有的中，淺溝槽工藝為以下幾個(gè)步驟第一步，生長一層氧化層襯墊(Pad Oxide)和氮化硅刻蝕阻擋層；第二步，光 刻并顯影；第三步，淺溝槽的刻蝕；第四步，淺溝槽表面的氧化形成氧化 層襯墊；第五步，...
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