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技術(shù)編號(hào)：7230644

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸的不斷縮小，器件之間的隔離區(qū)域也隨之相應(yīng)縮小，對(duì)器件隔離的要求也越來(lái)越高，早期采用的局部場(chǎng)氧化隔離技術(shù)(LOCOS ， Local Oxidation of Silicon)因其會(huì)在有源區(qū)邊界形成"鳥(niǎo)嘴"(BIRD'S BEAK)區(qū)，使得分離區(qū)擴(kuò)大等問(wèn)題，已逐漸被、淺溝槽隔離技術(shù)(STI, Shallow Trench Isolation)所取代。釆用STI技術(shù)制備隔離區(qū)域?qū)崿F(xiàn)器件間的隔離，...
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