技術(shù)編號:7230651
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造,特別涉及一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的 制造方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體集成電路制造工藝的日益進(jìn)步,半導(dǎo)體集成電路中半導(dǎo)體器件的線寬越來越小,集成度越來越高,傳統(tǒng)的用于半導(dǎo)體器件的隔 離工藝已經(jīng)不能滿足不斷發(fā)展的集成電路制造工藝的需要。在0.35um及更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn),業(yè)界采用淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation)工藝來實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件之間的隔離。淺溝槽隔離工藝的主要步 驟如下首先在用于制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體襯底上形成溝槽,接著...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。