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技術(shù)編號：7230727

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本發(fā)明涉及具有混合表面取向并可用于形成互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件的絕緣體上半導(dǎo)體(SOI)襯底。更具體地，本發(fā)明涉及包括一個或多個具有適合于形成n溝道場效應(yīng)晶體管(n-FET)的表面取向的器件區(qū)域和一個或多個具有適合于形成p溝道場效應(yīng)晶體管(p-FET)的不同表面取向的器件區(qū)域的SOI襯底，以及用于形成此SOI襯底的方法。背景技術(shù) 在本半導(dǎo)體技術(shù)中，例如n-FET和p-FET的CMOS器件通常制造在半導(dǎo)體晶片上，每個半導(dǎo)體晶片具有沿形成襯底的半導(dǎo)...
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