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技術(shù)編號：7230767

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域；更具體而言，本發(fā)明涉及FinFET 器件結(jié)構(gòu)和制作FinFET結(jié)構(gòu)的方法。背景技術(shù)FinFET (鰭形場效應(yīng)晶體管)是一種新興的技術(shù)，它使得器件更 小，性能更高。FinFET結(jié)構(gòu)包括狹窄而孤立的硅條(鰭片)，鰭片的兩 側(cè)帶有柵極?，F(xiàn)有技術(shù)的FinFET結(jié)構(gòu)是在絕緣體上硅(SOI)基片上 形成的。然而，在SOI基片上制作的FinFET會(huì)經(jīng)受浮體效應(yīng)。絕緣 體上硅基片上FinFET的浮體效應(yīng)存儲(chǔ)電荷，它是器件歷史的函數(shù)。 同樣，浮體F...
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