技術(shù)編號(hào)：7230808
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，且特別是有關(guān)于一種L 型。背景技術(shù)隨著電腦與電子產(chǎn)品功能的加強(qiáng)，應(yīng)用電路亦日趨復(fù)雜，基于成本與 穩(wěn)定性的考量，積體電路內(nèi)所要求電晶體的密度也就大大地增加。但是要 在一個(gè)積體電路上擁有很大的密度，并非單純地減少積體電路內(nèi)元件的大 小比例即可達(dá)到，因?yàn)椴季执笮”壤母淖儯?一則要受到設(shè)計(jì)準(zhǔn)則(Design Rule)與制程上的限制； 一則亦需詳加考慮元件物理特性上的改變。請(qǐng)參照?qǐng)D1,以金氧半導(dǎo)體電晶體(MOS)為例，基底...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。