技術(shù)編號：7230809
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種用于在形成超級結(jié)結(jié)構(gòu)的p型半導(dǎo)體區(qū)和n型半導(dǎo)體區(qū)之間防止雜質(zhì)的相互擴散的方法。背景技術(shù) 具有超級結(jié)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件是已知的，其中，所述超級結(jié)結(jié)構(gòu)通過重復(fù)p型半導(dǎo)體區(qū)和n型半導(dǎo)體區(qū)來形成。在此類半導(dǎo)體器件中，可能發(fā)生形成超級結(jié)結(jié)構(gòu)的p型半導(dǎo)體區(qū)和n型半導(dǎo)體區(qū)中的雜質(zhì)的相互擴散。這樣的擴散可以導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的特性的劣化。為了消除這樣的擴散，如圖18所示，在專利文件1的半導(dǎo)體器件中的p型半導(dǎo)體區(qū)124和n型半導(dǎo)體區(qū)122之間形成絕緣膜(SiO2)1...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。