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技術(shù)編號(hào)：7231155

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本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，特別涉及一種靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)單元陣列結(jié)構(gòu)。技術(shù)背景靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)長久以來由于其操作簡單、存取速度快， 以及低消耗功率等特性，而成為存儲(chǔ)器的主要產(chǎn)品。SRAM的簡單操作是來 自于雙穩(wěn)定單元，即只要提供適當(dāng)?shù)碾妷?，SRAM可無限期地保持其狀態(tài)， 而不像動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAMi—般會(huì)被更新。已知的傳統(tǒng)SRAM單元結(jié)構(gòu)具有六晶體管(6T)，其中六晶體管被建構(gòu)為 具有一對(duì)通柵晶體管以及兩個(gè)交叉耦接的...
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