技術(shù)編號：7231162
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種形成相變材料層的方法、使用該相變材 料層形成相變存儲(chǔ)器件的方法以及由此形成的相變存儲(chǔ)器件。更具體， 本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種形成相變材料層的方法，使用該相變材料層 形成相變存儲(chǔ)器件的方法以及由此形成的相變存儲(chǔ)器件，該相變存儲(chǔ) 器件可以減小或消除相變材料層中空隙或裂縫的形成。背景技術(shù)在半導(dǎo)體器件當(dāng)中，相變存儲(chǔ)器件具有非易失性特性，以便即使 供電被中斷，也不丟失存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。相變存儲(chǔ)器件可以采用相變材料層， 相變材料層對于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)可以顯示出兩種...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。