技術(shù)編號(hào)：7231164
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，尤指一種利用兩次以上曝光、兩次 以上蝕刻的方式。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)越來越精密，集成電路也發(fā)生重大的變革，使得計(jì) 算機(jī)的運(yùn)算性能和存儲(chǔ)容量突飛猛進(jìn)，并帶動(dòng)周邊產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展。而半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也如同摩爾定律所預(yù)測(cè)的，以每18個(gè)月增加一倍晶體管數(shù)目在集成電 路上的速度發(fā)展著，同時(shí)半導(dǎo)體工藝也已經(jīng)從1999年的0.18微米、2001年 的0.13微米、2003年的90納米(nm)(0.09微米)，進(jìn)入到2005年65納米(0.065 微米工藝)并...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。