技術(shù)編號：7231165
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種，特別涉及具有通路孔的半導 體裝置及其制造方法。背景技術(shù)目前，對于半導體襯底及在半導體襯底表面成膜的絕緣膜，設置開設至下層導電體(在襯底上形成的配線層或擴散層)的開口部(下文稱作通路孔),通過在該通路孔內(nèi)形成作為配線的金屬(銅或者鋁或者鎢)，使下層導電體 和與之相對應的上層導電體進行電連接。另外，該通路孔有時也被稱為通孔或者是接觸孔。參照附圖說明具有這樣的通路孔的現(xiàn)有半導體裝置的制造方法之一例。圖14~圖16分別是依次表示制造工序的概略的剖面...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。