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技術(shù)編號：7231169

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本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法和半導(dǎo)體器件，具體而言，涉及一種MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)型場效應(yīng)晶體管。背景技術(shù) 近年來，為了提高晶體管的性能的目的，已經(jīng)研究了在溝道區(qū)上施加應(yīng)力從而增加漏電流。施加應(yīng)力的方法的示例包括一種其中在形成柵電極之后形成高應(yīng)力膜從而將應(yīng)力施加在溝道區(qū)上的方法，以及一種工藝，其中蝕刻P溝道MOS型場效應(yīng)晶體管(PMOSFET)的源極/漏極區(qū)，且在蝕刻的區(qū)域中外延生長硅-鍺(SiGe)層以在溝道區(qū)上施加應(yīng)力。隨著SiGe層更靠近溝...
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