技術(shù)編號(hào):7231247
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體基板的制造方法,特別是指一種屬于磊晶成長(zhǎng)方式的 高品質(zhì)半導(dǎo)體基板的制造方法。背景技術(shù)參閱圖l,目前用于磊晶成長(zhǎng)以氮化鎵為主(gallium nitride-based)材料的發(fā) 光二極管元件所用的半導(dǎo)體基板13,是以磊晶成長(zhǎng)并配合激光剝離(Laser Lift-Off) 技術(shù)(參見期刊論文Appl. Phys. Lett" 72(5), Februaiy, 1998中)所制備。該半導(dǎo)體基板13的制備過程是先選用碳化硅(SiC)或藍(lán)寶石(...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。