技術(shù)編號(hào):7231296
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置,且特別涉及一種金屬氧化物半導(dǎo)體(metal-oxide-semiconductor, MOS)裝置的結(jié)構(gòu)及制造方法。 背景技術(shù)多晶硅柵極經(jīng)常利用于金屬氧化物半導(dǎo)體裝置的工藝中,在典型的多晶 硅柵極工藝中,首先形成柵極介電層及多晶硅層,之后,進(jìn)行圖案化柵極介 電層及多晶硅層,以形成由柵極介電層以及位于柵極介電層上的柵極電極所 組成的柵極疊層。柵極疊層的圖案化過(guò)程可能導(dǎo)致柵極電極與柵極介電層的損害,因此影 響柵極介電層的完整性。 一種...
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