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技術(shù)編號：7231590

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本發(fā)明涉及一種可用于互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)電路的半導(dǎo)體器件。更具體而言，本發(fā)明涉及一種CMOS電路，其包括具有混合溝道取向的至少一個n溝道場效應(yīng)晶體管(n-FET)和至少一個p溝道場效應(yīng)晶體管(p-FET)。換句話說，CMOS電路的n-FET和p-FET包括沿著CMOS電路所處的半導(dǎo)體襯底的不同組晶面而取向的溝道。背景技術(shù) 在現(xiàn)在的半導(dǎo)體技術(shù)中，如n-FET和p-FET的CMOS器件通常制作在半導(dǎo)體晶片上，該半導(dǎo)體晶片均具有沿著形成襯底的半導(dǎo)體材...
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