技術(shù)編號：7232129
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路及其制造領(lǐng)域。更具體地，本發(fā)明涉及具有水平取向和垂直取向分段(section)的器件本體的場效應(yīng)半導(dǎo)體器件。背景技術(shù) 今天的晶體管包括大量的器件。要增強性能和提高可靠性，器件較小是關(guān)鍵。隨著FET(場效應(yīng)晶體管)器件按比例縮小，技術(shù)已變得越來越復(fù)雜。在深亞微米各代的器件中，要提高性能非常困難。沿尋求更高器件性能的路線，已研究幾種途徑以保持器件性能提高，縮小FET器件的比例是目前CMOS器件技術(shù)的指導(dǎo)原則。然而，直接縮小尺寸存在明顯的限制，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。