技術(shù)編號：7233663
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及通過掩模層對在基板上形成的氧化膜進(jìn)行等離子體蝕 刻的等離子體蝕刻方法，以及存儲用于執(zhí)行上述等離子體蝕刻方法的 控制程序的計算機(jī)可讀取的存儲介質(zhì)。背景技術(shù)在半導(dǎo)體設(shè)備的制造工藝中，通過光刻工序在作為被處理基板的 半導(dǎo)體晶片上形成光刻膠圖案，然后將其作為掩模進(jìn)行蝕刻。最近，半導(dǎo)體設(shè)備越來越精細(xì)，在蝕刻中也更加要求精細(xì)加工， 對應(yīng)于這種微小化，用作掩模的光刻膠的膜厚變薄，使用的光刻膠也從KrF光刻膠(即，使用以KrF為光源的激光進(jìn)行曝光的光刻膠)轉(zhuǎn) 變...
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