技術(shù)編號：7235665
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法，更具體而言，涉及一種制 造具有柵極堆疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的方法。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，更具體而言，涉及一種 具有柵極堆疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。背景技術(shù)通過堆疊多晶硅和鵠形成的鎢多晶硅柵電極具有非常低的電阻，該 非常低的電阻為通過堆疊多晶硅和硅化鎢所形成的多晶硅/硅化鎢 (Poly-Si/WSix)柵電極的電阻的約1/5~1/10。因此，鵠多晶硅柵電極 是制造亞-60nm存儲器件所必需的。圖1A 1C...
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