技術(shù)編號：7235703
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明通常涉及半導(dǎo)體器件處理技術(shù)和，更具體而言，涉及一種用于 減小包括絕緣體上硅(SOI)器件的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)器件中的浮體效應(yīng)的方法和結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)對于集成電路增加的性能、功能性和制造經(jīng)濟(jì)的要求已導(dǎo)致了極大的 集成密度以便減小信號傳輸時(shí)間并增加抗噪聲度，同時(shí)也增加了單個的工 藝序列在芯片或晶片上可以形成的電路與器件的數(shù)目。將器件按比例縮小 至這樣小的尺寸限制了操作裕度并使增加芯片上所形成的半導(dǎo)體器件電特 性的均勻性成為必需。...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。