技術(shù)編號：7236428
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明的實施方式主要涉及一種用于等離子體高流導(dǎo)軸向約束和流動均 衡的方法和裝置，該方法和裝置通過阻抗約束增強等離子體徑向分布的磁控 制，并增強等離子體的徑向約束背景技術(shù)在微電子集成電路的制造中，半導(dǎo)體晶圓的等離子體處理用于介電質(zhì)蝕 刻、金屬蝕刻、化學氣相沉積和其它工藝中。在半導(dǎo)體襯底處理中，越來越小 的部件尺寸和線寬發(fā)展的趨勢誘使在半導(dǎo)體襯底上掩模、蝕刻和沉積材料具有 越來越高的精度。通常，蝕刻通過將射頻(RF)功率施加到被供應(yīng)到在由支撐構(gòu)件所支撐的 襯底...
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