技術(shù)編號(hào)：7236762
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體單電子器件，特別是指一種利用量子點(diǎn)亞穩(wěn)態(tài)實(shí)現(xiàn)單電子 共振隧穿的二極管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及工作條件。背景技術(shù)半導(dǎo)體雙勢(shì)壘共振隧穿二極管(DB-RTD是利用束縛能態(tài)實(shí)現(xiàn)量子隧穿輸運(yùn) 的一種電子學(xué)器件；當(dāng)受雙勢(shì)壘束縛的體系具有零維類原子能級(jí)特征時(shí)，由于 每一個(gè)分立能態(tài)只能同時(shí)容納一個(gè)電子，因此電子通過這些類原子能級(jí)體系的 共振隧穿過程成為單電子隧穿過程。單電子隧穿構(gòu)成了電子器件的一個(gè)極限情 形，它在單個(gè)能態(tài)水平上實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的控制，因而在當(dāng)前一些前沿具 有重...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。