技術(shù)編號(hào)：7236900
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及納米特征尺寸半導(dǎo)體器件制備，尤其涉及一 種用于納米尺度互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體器件制造的高介電常數(shù)柵介質(zhì)薄膜鉿硅氧氮(HfSiON)的制備方法，以解決隨著小尺寸器件柵介 質(zhì)厚度的減薄而帶來柵介質(zhì)漏電急劇上升和功耗嚴(yán)重增大的問題。背景技術(shù)40多年來，集成電路技術(shù)按摩爾定律持續(xù)發(fā)展，特征尺寸不斷縮 小，集成度不斷提高，功能越來越強(qiáng)。隨著器件尺寸的不斷減小，柵 氧化層厚度隨之減薄。目前，金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(MOSFET)的特征尺寸已進(jìn)入 亞50納米，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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