技術(shù)編號：7237113
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。存儲器件背景技術(shù)快閃存儲器件具有EPROM和EEPROM的優(yōu)點，EPROM具有編 程和擦除特性，EEPROM具有電編程和擦除特性?？扉W存儲器件能夠 存儲1位數(shù)據(jù)并進行電編程和擦除操作。如在例圖1中所示，快閃存儲器件可以包括形成在硅半導體襯底1 上和/或上方的薄隧道氧化物層3、形成在隧道氧化物層3上和/或上方 的浮置柵極4、形成在浮置柵極4上和/或上方的絕緣層5、形成在絕緣 層5上和/或上方的控制柵極6、和形成在硅半導體襯底1上和/或上方 的源極/漏極區(qū)2。...
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