技術(shù)編號(hào)：7237114
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制造半導(dǎo)體器件的方法，更特別地涉及制造含有凹陷柵 極的半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件變得高度地集成，單元晶體管的溝道長(zhǎng)度降低。此 外，隨著對(duì)襯底的離子注入摻雜濃度增加，起因于電場(chǎng)增強(qiáng)的結(jié)泄漏也 增加。因此，難以確保具有典型的平面型晶體管結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的刷 新特性。為此，引入三維凹陷柵極以克服上述限制。根據(jù)所述方法，蝕刻襯 底中的有源區(qū)的一部分以形成凹陷，并在所述凹陷上形成柵極。因此， 所述單元晶體管的溝道長(zhǎng)度增加，并且對(duì)襯底的離子注入...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。