技術(shù)編號:7238735
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種,更具體地,涉及一種利用形成在碳化硅層中的傾斜表面并且包括預(yù)定晶面的半導(dǎo)體器件,以及用于制造這樣的半導(dǎo)體器件的方法。 背景技術(shù)傳統(tǒng)上,已經(jīng)提出了使用碳化硅(SiC)作為用于半導(dǎo)體器件的材料。例如,專利文獻(xiàn)I (日本專利特開No. 2002-261041)提出了通過在{03-38}面上形成溝道來構(gòu)造具有高溝道遷移率的器件。此外,專利文獻(xiàn)2 (日本專利特開No. 2007-80971)提出了采用碳化硅的半導(dǎo)體器件。在該半導(dǎo)體器件中,SiC半導(dǎo)體層...
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