技術(shù)編號：724
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。概括地說，本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及應(yīng)用于具有亞微米線度的超大規(guī)模集成電路的一種絕緣工藝方法。在集成電路技術(shù)中，有必要將有源器件的有源區(qū)(或稱“壕狀區(qū)”(moat regions))互相隔開。在使用MOS工藝的大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路中，通常是采用LOCOS(硅的局部氧化)的方法來完成有源區(qū)的絕緣的。為實施LOCOS方法，要使用一種在一塊薄的氧化物塊的表面上的呈一定圖案的氮化物，把將作為壕狀區(qū)的硅基片區(qū)域覆蓋住。通過將硅基片的未覆蓋區(qū)域暴露在一高溫氧化環(huán)境之中，使僅僅在被暴露的區(qū)域...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。