技術(shù)編號(hào)：7241715
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的一些實(shí)施方案涉及一種IR光檢測(cè)器，其廣泛地吸收電磁輻射，包括近紅外（NIR）光譜的至少一部分。所述IR光檢測(cè)器包括PbS和/或PbSe的多分散QD。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案，所述IR光檢測(cè)器當(dāng)與發(fā)光二極管（LED）耦聯(lián)時(shí)可作為層包括在上轉(zhuǎn)換器件中。專利說明具有寬帶吸收體的上轉(zhuǎn)換器件[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用[0002]本申請(qǐng)要求于2011年2月28日提交的美國臨時(shí)申請(qǐng)序列號(hào)N0.61/447，427專利的權(quán)益，其全部內(nèi)容，包括任何附圖、表格或圖...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。