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技術(shù)編號：7241947

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本發(fā)明提供用于更高效地制造減少了形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)中的裂紋的高品質(zhì)垂直型第III族氮化物半導(dǎo)體LED芯片的方法。該垂直型第III族氮化物半導(dǎo)體LED芯片的制造方法包括在生長基板上以生長基板與發(fā)光結(jié)構(gòu)層疊體之間設(shè)置有剝離層的方式通過順次地堆疊第一導(dǎo)電類型III族氮化物半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二導(dǎo)電類型III族氮化物半導(dǎo)體層形成發(fā)光結(jié)構(gòu)層疊體的第一步驟，第二導(dǎo)電類型不同于第一導(dǎo)電類型；通過部分去除發(fā)光結(jié)構(gòu)層疊體以使生長基板部分露出而形成多個獨立的發(fā)光結(jié)構(gòu)的第二步驟；形...
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