技術(shù)編號(hào)：7241951
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在晶體管區(qū)域中設(shè)置有絕緣柵型雙極晶體管，該絕緣柵型雙極晶體管具有柵極電極（7）和發(fā)射極電極（9）。在晶體管區(qū)域的周圍配置有末端區(qū)域。在晶體管區(qū)域中，在N型漂移層（1）的下方設(shè)置有第1N型緩沖層（18）。在第1N型緩沖層（18）的下方設(shè)置有P型集電極層（19）。在末端區(qū)域中，在N型漂移層（1）的下方設(shè)置有第2N型緩沖層（20）。P型集電極層（19）和第2N型緩沖層（20）與集電極電極（21）直接連接。越接近集電極電極（21），第2N型緩沖層（20）的雜質(zhì)濃度...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。