技術(shù)編號：7242045
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實施例一般地涉及基板處理。背景技術(shù)超大型積體(Ultra-large-scale integrated ；ULSI)電路可包括超過一百萬個電子器件(例如，晶體管)，這些電子器件形成在諸如硅(Si)基板等的半導(dǎo)體基板上，并且合作以在設(shè)備內(nèi)執(zhí)行各種功能。等離子體蝕刻通常用于晶體管及其他電子器件的制造中。在用于形成晶體管結(jié)構(gòu)的等離子體蝕刻エ藝期間，通常將ー層或多層薄膜堆棧(例如，硅層、多晶硅層、ニ氧化鉿(HfO2)層、ニ氧化硅(SiO2)層、金屬材料層等...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。