技術(shù)編號(hào):7242121
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種二極管區(qū)(11)和IGBT區(qū)(13)被形成在同一半導(dǎo)體基板上的半導(dǎo)體裝置。二極管區(qū)具備多個(gè)第一導(dǎo)電型的陽(yáng)極層(115、116),所述多個(gè)第一導(dǎo)電型的陽(yáng)極層(115、116)露出于半導(dǎo)體基板(100)的表面且被相互隔離。IGBT區(qū)具備多個(gè)第一導(dǎo)電型的體接觸層(135),所述多個(gè)第一導(dǎo)電型的體接觸層(135)露出于半導(dǎo)體基板的表面且被相互隔離。陽(yáng)極層具備至少一個(gè)以上的第一陽(yáng)極層(116)。第一陽(yáng)極層(116)至少被形成在接近IGBT區(qū)的位置處,第...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。